Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTS) в Ростове-на-Дону
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор - база: 75V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база: 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора: 0.6 A Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
Характеристики: Материал p-n-перехода: SiСтруктура транзистора: PNPПредельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.3 WПредельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 VПредельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 25 VПредельное постоянное напряжение эмиттер-база...
RFP50N06 является N-канальным силовым МОП-транзистором 60В, который использует процесс MegaFET. Этот процесс использует особенности, приближающиеся к тем, которые применяются в интегральных схемах LSI, что обеспечивает оптимальное использование кремния и приводит...
N Channel, Id=140A, Vds=75V, Rds(on)=0.007ohm, Vgs=10V, Vgs Typ=4V, Pd=330W, корпус-TO-220AB-3, t-175°C тип: транзистор
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Корпус: TO-220 Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24.3 A Общий заряд затвора (Qg): 104.9...
Описание IRF9610PBF - это силовой МОП-транзистор с P-каналом на -200 В, в котором используется передовая технология HEXFET. Эффективная геометрия и уникальная обработка конструкции HEXFET обеспечивают очень низкое сопротивление в открытом...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
-
-
-
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 60 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40 Максимально...
Ип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Корпус: TO247AC Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24.3 A Общий заряд затвора (Qg): 104.9...
Корпус: TO247AC Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 24.3 A Общий заряд затвора (Qg): 104.9...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 87.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток...
Наименование прибора: SSP4N60AS Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Напряжение сток-исток Uси (max): 60В Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 50А Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 28 мОм Рассеиваемая мощность Pси (max)...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 42 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 23 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.5 A Максимальная температура канала (Tj):...
Характеристики: Материал p-n-перехода: Si Структура транзистора: PNP Предельная постоянная рассеиваемая мощность коллектора (Pc) транзистора: 0.31 W Предельное постоянное напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uce) транзистора: 40...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 110 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max)...
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 250 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250 Максимально допустимый ток...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc, max 350mW Ucb, max 50V Uce, max 45V Ueb, max 5V Ic, max 100mA Tj, max 150єC Ft, max 300MHz Cctip, pF...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 70 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 94 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Структура транзистора: n-p-n Максимально допустимое напряжение коллектор-база, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Максимально допустимое напряжение эмиттер-база, не более: 6 В Макcимальный ток коллектора,...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 74 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8.1 A Максимальная температура канала (Tj):...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 34 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока...
Характеристики транзистора MMBT5551 Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В Напряжение коллектор-база, не более: 180 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.6 А...
Биполярный транзистор, характеристики NF, 40V, 5A, 0,75W, 150MHz тип: транзистор
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс), В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс), В...
Тип Биполярный транзистор Материал Si Структура npn Pc,max 125W Ucb,max 1500V Uce,max 700V Ueb,max - Ic,max 8A Tj,max 150єC Ft,max 7MHz Cctip,pF 125 Hfe 40MIN Caps TOP3 Применение Power, Switching...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 450 В Напряжение коллектор-база, не более: 1000 В Напряжение эмиттер-база, не более: 9 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Структура npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 50 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 800 В Напряжение коллектор-база, не более: 900 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 3 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 10 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 38 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16.5 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Frequency - Transition 900MHz Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V Transistor Type NPN Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant Power - Max 2W DC...
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 4 А Рассеиваемая мощность коллектора,...
Структура n-канал Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500 Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 20 Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 30 Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max)...
Характеризуется как высоковольтный ключевой биполярный транзистор n-p-n структуры с очень высокой коммутационной скоростью переключений. Разработан специально для применения в импульсных блоках питания, пускорегулирующих устройствах люминесцентных ламп (электронных балластах), схемах управления...
Маркировка: J650 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 135 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...
Характеристики транзистора TIP117 Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -100 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -2 А...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic):...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj):...
Наименование прибора: IRF9620 Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный...
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4...
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb):...